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参数目录34844
> MSD1328-RT1G TRANS NPN GP BIPO 20V SC-59
型号:
MSD1328-RT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN GP BIPO 20V SC-59
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MSD1328-RT1G PDF
产品变化通告
Copper Wire Change 29/Oct/2009
Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
400mV @ 20mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
200 @ 500mA,2V
功率 - 最大
200mW
频率 - 转换
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SC-59
包装
带卷 (TR)
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